0
0
0
SSD, SAMSUNG, 990 EVO Plus, 1TB, M.2, PCIe Gen5, NVMe, TLC, Write speed 6300 MBytes/sec, Read speed 7150 MBytes/sec, 2.38mm, TBW 1200 TB, MZ-V9S1T0BW
Отзывы:
(0)
    Наименование:

    SAMSUNG MZ-V9S1T0BW

  • Бренд: SAMSUNG
  • Модель: MZ-V9S1T0BW
  • EAN: 8806095575674
  • Наличие: Нет в наличии
267.41€
Без PVN: 221.00€
  • Обзор товара
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
Характеристики
Основные параметры
Тип накопителя SSD
Объём 1 TB
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCIe 4.0 NVMe
Скорость чтения 7150 MB/s
Скорость записи 6300 MB/s
Тип памяти (NAND) TLC
Наработка на отказ (MTBF) 1 500 000 h
Specification
Name SSD PCIE G5 M.2 NVME 1TB/990EVOPLUS MZ-V9S1T0BW SAMSUNG
Specifikācija
Average power consumption (read) 4.3
Average power consumption (write) 4.2
DevSlp (device sleep) support Yes
Hardware encryption Yes
M.2 SSD size 2280 (22 x 80 mm)
NVMe version 2.0
Power consumption DevSlp (device sleep) 5
Product Net Weight 0.009
Random read (4KB) 850000
SSD Capacity 1000
Summary Samsung MZ-V9S1T0. SSD capacity: 1 TB, SSD form factor: M.2, Read speed: 7150 MB/s, Write speed: 6300 MB/s, Component for: PC
Unit Calculated Volume 0.0008342
Unit Depth 14.5
Unit Height 2.5
Unit Width 10
Units per Shipping Box 60
Память
Тип памяти V-NAND TLC
Запоминающее устройство
NVMe Yes
SSD form factor M.2
SSD series 990 EVO Plus
Порты
Interface PCI Express 4.0
Спецификация
Component for PC
Mean time between failures (MTBF) 1500000
Model MZ-V9S1T0BW
Operating shock 1500
Operating temperature (T-T) 0 - 70
Operating voltage 3.3
Package depth 100
Package height 24
Package weight 68
Package width 145
Power consumption (idle) 0.06
Power consumption (read) 4.3
Power consumption (write) 4.2
Random write (4KB) 1350000
Read speed 7150
S.M.A.R.T. support Yes
Security algorithms 256-bit AES
TRIM support Yes
Weight 9
Write speed 6300
Высота 80.15
Глубина 2.38
Название модели MZ-V9S1T0
Ширина 80.15
Отзывы (0)

Нет отзывов об этом товаре.