0.00€
Оформить заказ
SSD, SAMSUNG, 990 EVO Plus, 1TB, M.2, PCIe Gen5, NVMe, TLC, Write speed 6300 MBytes/sec, Read speed 7150 MBytes/sec, 2.38mm, TBW 1200 TB, MZ-V9S1T0BW
- Бренд: SAMSUNG
- Модель: MZ-V9S1T0BW
- EAN: 8806095575674
- Наличие: Нет в наличии
Наименование:
SAMSUNG MZ-V9S1T0BW
267.41€
Без PVN: 221.00€
- Обзор товара
- Характеристики
- Отзывы (0)
Характеристики
Основные параметры
Тип накопителя
SSD
Объём
1 TB
Форм-фактор
M.2
Интерфейс
PCIe 4.0 NVMe
Скорость чтения
7150 MB/s
Скорость записи
6300 MB/s
Тип памяти (NAND)
TLC
Наработка на отказ (MTBF)
1 500 000 h
Specification
Name
SSD PCIE G5 M.2 NVME 1TB/990EVOPLUS MZ-V9S1T0BW SAMSUNG
Specifikācija
Average power consumption (read)
4.3
Average power consumption (write)
4.2
DevSlp (device sleep) support
Yes
Hardware encryption
Yes
M.2 SSD size
2280 (22 x 80 mm)
NVMe version
2.0
Power consumption DevSlp (device sleep)
5
Product Net Weight
0.009
Random read (4KB)
850000
SSD Capacity
1000
Summary
Samsung MZ-V9S1T0. SSD capacity: 1 TB, SSD form factor: M.2, Read speed: 7150 MB/s, Write speed: 6300 MB/s, Component for: PC
Unit Calculated Volume
0.0008342
Unit Depth
14.5
Unit Height
2.5
Unit Width
10
Units per Shipping Box
60
Память
Тип памяти
V-NAND TLC
Запоминающее устройство
NVMe
Yes
SSD form factor
M.2
SSD series
990 EVO Plus
Порты
Interface
PCI Express 4.0
Спецификация
Component for
PC
Mean time between failures (MTBF)
1500000
Model
MZ-V9S1T0BW
Operating shock
1500
Operating temperature (T-T)
0 - 70
Operating voltage
3.3
Package depth
100
Package height
24
Package weight
68
Package width
145
Power consumption (idle)
0.06
Power consumption (read)
4.3
Power consumption (write)
4.2
Random write (4KB)
1350000
Read speed
7150
S.M.A.R.T. support
Yes
Security algorithms
256-bit AES
TRIM support
Yes
Weight
9
Write speed
6300
Высота
80.15
Глубина
2.38
Название модели
MZ-V9S1T0
Ширина
80.15
Отзывы (0)
Нет отзывов об этом товаре.